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Si5511DC
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 5 V thr u 3.5 V
5
8
6
4
V GS = 3 V
V GS = 2.5 V
V GS = 2 V
4
3
2
2
0
V GS = 1.5 V
1
0
T A = 125 °C
T A = 25 °C
T A = - 55 °C
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
0.5
0.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
500
400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.3
0.2
0.1
0.0
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
300
200
100
0
C rss
C oss
C iss
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
I D = 2.3 A
V GS = 15 V
1.6
V GS = 4.5 V ,
I D = 2.3 A
1.4
3
V GS = 24 V
1.2
V GS = 2.5 V ,
I D = 1. 8 A
2
1.0
1
0
0. 8
0.6
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73787
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
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